Simulación numérica del transporte de carga en dispositivos semiconductores microelectrónicos ultrarrápidos

  1. Joaquín José Castelló Benavent
Supervised by:
  1. Francisco José Mustieles Moreno Director

Defence university: Universitat Jaume I

Year of defence: 2001

Committee:
  1. Carlos Conde Lázaro Chair
  2. Vicent J. Martínez Secretary
  3. Elena Cebrián de Barrio Committee member
  4. Francisco José Marco Castillo Committee member
  5. Fernando Olmos Maldonado Committee member

Type: Thesis

Teseo: 92369 DIALNET

Abstract

La tesis trata de la simulación numérica del modelo cinético semiclásico de los semiconductores, basado en el sistema de ecuaciones Vlasov-Poisson-Boltzmann, usando el método de Partículas Ponderado. En ella, tras una justificación del uso del modelo cinético, basado en la presencia de portadores balísticos en los dispositivos semiconductores objeto del estudio, y de la descripción de este modelo para la geometría desarrolla el Método de Partículas ponderado aplicado al sistema de ecuaciones de Vlasov-Poisson-Boltzmann. También se muestran los algoritmos desarrollados para la implementación del calculo de los operadores de colisión, finalmente, se presentan los resultados numéricos obtenidos con la aplicación de nuestro código para la simulación de diversos tipos de dispositivos.