Effect of indium content on the normal-incident photoresponse of InGaAs/GaAs quantum-well infrared photodetectors

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2001

Volumen: 78

Número: 16

Páginas: 2390-2392

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1365951 GOOGLE SCHOLAR
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