Modeling semiconductor ring lasers
- Salvador Balle Monjo Director/a
- Alessandro Sciré Director/a
Universidad de defensa: Universitat de les Illes Balears
Fecha de defensa: 07 de noviembre de 2011
- Ignacio Esquivias Moscardó Presidente/a
- Julia Arias Rodríguez Secretario/a
- G. J. de Valcárcel Vocal
- Siyuan Yu Vocal
- Ingo Fischer Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
La presente tesis trata sobre el modelado de láseres de anillo de semiconductor centrándose en la dinámica no lineal, las propiedades modales y la estabilidad dinámica que muestran estos dispositivos. Los láseres de anillo son dispositivos que muestran una gran riqueza de comportamientos dinámicos. Esta riqueza se debe a la presencia de dos campos eléctricos que se propagan en sentidos opuestos dentro de la cavidad óptica, y a la interacción entre ellos a través del medio activo, que es el responsable de proporcionar ganancia a los campos. De entre la variedad de comportamientos dinámicos, el régimen de emisión unidireccional biestable ha acaparado el interés de la comunidad científica en la última década por su uso en memorias ópticas y puertas lógicas. Estas nuevas aplicaciones han motivado la creación de modelos más complejos a los existentes que se han desarrollado en esta tesis, para servir de guía en el diseño de dispositivos optimizados para situaciones específicas.