Influence of substrate misorientation on the optical and structural properties of InGaAs/GaAs single strained quantum wells grown on (111)B GaAs by molecular beam epitaxy

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Revista:
Microelectronics Journal

ISSN: 0026-2692

Año de publicación: 1999

Volumen: 30

Número: 4

Páginas: 373-378

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0026-2692(98)00138-4 GOOGLE SCHOLAR