Relaxation study of AlGaAs cladding layers in InGaAs/GaAs (111)B lasers designed for 1.0-1.1 μm operation

  1. Gutiérrez, M.
  2. Herrera, M.
  3. González, D.
  4. Aragón, G.
  5. Sánchez, J.J.
  6. Izpura, I.
  7. Hopkinson, M.
  8. García, R.
Aldizkaria:
Microelectronics Journal

ISSN: 0026-2692

Argitalpen urtea: 2002

Alea: 33

Zenbakia: 7

Orrialdeak: 553-557

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1016/S0026-2692(02)00018-6 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus