New relaxation mechanisms in InGaAs/GaAs (111) multiple quantum well

  1. Gutiérrez, M.
  2. González, D.
  3. Aragón, G.
  4. Sánchez, J.J.
  5. Izpura, I.
  6. García, R.
Zeitschrift:
Microelectronics Journal

ISSN: 0026-2692

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 30

Nummer: 4

Seiten: 467-470

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0026-2692(98)00154-2 GOOGLE SCHOLAR
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