AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1-xP epitaxial layers

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Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2002

Volumen: 91-92

Páginas: 269-273

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0921-5107(01)01016-9 GOOGLE SCHOLAR