Tecnología de estructuras
GITE
Queen Mary University of London
Londres, Reino UnidoPublicaciones en colaboración con investigadores/as de Queen Mary University of London (1)
1996
-
Relaxation behavior of undoped InxGa1-xP 0.5<×<0.7 grown on GaAs by atomic layer molecular-beam epitaxy
Journal of Applied Physics, Vol. 80, Núm. 6, pp. 3327-3332