Relaxation study of AlGaAs cladding layers in InGaAs/GaAs (111)B lasers designed for 1.0-1.1 μm operation

  1. Gutiérrez, M.
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  8. García, R.
Revista:
Microelectronics Journal

ISSN: 0026-2692

Año de publicación: 2002

Volumen: 33

Número: 7

Páginas: 553-557

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0026-2692(02)00018-6 GOOGLE SCHOLAR
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