Effect of graded buffer design on the defect structure in InGaAs/GaAs (111)B heterostructures

  1. Gutiérrez, M.
  2. González, D.
  3. Aragón, G.
  4. Hopkinson, M.
  5. García, R.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Any de publicació: 2001

Volum: 80

Número: 1-3

Pàgines: 27-31

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00579-1 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus