New relaxation mechanisms in InGaAs/GaAs (111) multiple quantum well

  1. Gutiérrez, M.
  2. González, D.
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  6. García, R.
Revista:
Microelectronics Journal

ISSN: 0026-2692

Año de publicación: 1999

Volumen: 30

Número: 4

Páginas: 467-470

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0026-2692(98)00154-2 GOOGLE SCHOLAR
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