Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/GaAs systems

  1. González, D.
  2. Araújo, D.
  3. Aragón, G.
  4. García, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 1998

Volum: 72

Número: 15

Pàgines: 1875-1877

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.121212 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus