Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/GaAs systems

  1. González, D.
  2. Araújo, D.
  3. Aragón, G.
  4. García, R.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 72

Nummer: 15

Seiten: 1875-1877

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.121212 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus