Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/GaAs systems

  1. González, D.
  2. Araújo, D.
  3. Aragón, G.
  4. García, R.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 1998

Alea: 72

Zenbakia: 15

Orrialdeak: 1875-1877

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.121212 GOOGLE SCHOLAR