A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substrates

  1. Aragón, G.
  2. Molina, S.I.
  3. Pacheco, F.J.
  4. González, Y.
  5. González, L.
  6. Briones, F.
  7. García, R.
Revista:
Materials Science and Engineering B

ISSN: 0921-5107

Any de publicació: 1994

Volum: 28

Número: 1-3

Pàgines: 196-199

Tipus: Article

DOI: 10.1016/0921-5107(94)90046-9 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus