A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substrates

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Zeitschrift:
Materials Science and Engineering B

ISSN: 0921-5107

Datum der Publikation: 1994

Ausgabe: 28

Nummer: 1-3

Seiten: 196-199

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0921-5107(94)90046-9 GOOGLE SCHOLAR
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