A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substrates

  1. Aragón, G.
  2. Molina, S.I.
  3. Pacheco, F.J.
  4. González, Y.
  5. González, L.
  6. Briones, F.
  7. García, R.
Revista:
Materials Science and Engineering B

ISSN: 0921-5107

Ano de publicación: 1994

Volume: 28

Número: 1-3

Páxinas: 196-199

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/0921-5107(94)90046-9 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus