Relaxation behavior of undoped InxGa1-xP 0.5<×<0.7 grown on GaAs by atomic layer molecular-beam epitaxy
- González, L.
- González, Y.
- Aragón, G.
- Castro, M.J.
- Dotor, M.L.
- Dunstan, D.J.
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1996
Volum: 80
Número: 6
Pàgines: 3327-3332
Tipus: Article
Els documents de l'Observatori s'actualitzen diàriament. Aquesta data fa referència a l'actualització de la informació relacionada amb l'estructura de l'Observatori (persones, grups d'investigació, unitats organitzatives, projectes, etc.).