Relaxation behavior of undoped InxGa1-xP 0.5<×<0.7 grown on GaAs by atomic layer molecular-beam epitaxy
- González, L.
- González, Y.
- Aragón, G.
- Castro, M.J.
- Dotor, M.L.
- Dunstan, D.J.
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1996
Volume: 80
Número: 6
Páxinas: 3327-3332
Tipo: Artigo
Os documentos do portal actualízanse diariamente. Esta data fai referencia á actualización da información relacionada coa estructura do portal (persoas, grupos de investigación, unidades organizativas, proxectos…).