Relaxation behavior of undoped InxGa1-xP 0.5<×<0.7 grown on GaAs by atomic layer molecular-beam epitaxy

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 80

Nummer: 6

Seiten: 3327-3332

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.363243 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus