Growth rate and critical temperatures to avoid the modulation of composition of InGaAs epitaxial layers

  1. González, D.
  2. Aragón, G.
  3. Araújo, D.
  4. De Castro, M.J.
  5. García, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 1999

Volum: 74

Número: 18

Pàgines: 2649-2651

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.123926 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus