Growth rate and critical temperatures to avoid the modulation of composition of InGaAs epitaxial layers

  1. González, D.
  2. Aragón, G.
  3. Araújo, D.
  4. De Castro, M.J.
  5. García, R.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 1999

Alea: 74

Zenbakia: 18

Orrialdeak: 2649-2651

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.123926 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus