Growth rate and critical temperatures to avoid the modulation of composition of InGaAs epitaxial layers

  1. González, D.
  2. Aragón, G.
  3. Araújo, D.
  4. De Castro, M.J.
  5. García, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 1999

Volume: 74

Número: 18

Páxinas: 2649-2651

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.123926 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus