Growth rate and critical temperatures to avoid the modulation of composition of InGaAs epitaxial layers

  1. González, D.
  2. Aragón, G.
  3. Araújo, D.
  4. De Castro, M.J.
  5. García, R.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 74

Nummer: 18

Seiten: 2649-2651

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.123926 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus