Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/GaAs systems

  1. González, D.
  2. Araújo, D.
  3. Aragón, G.
  4. García, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1998

Volumen: 72

Número: 15

Páginas: 1875-1877

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.121212 GOOGLE SCHOLAR
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