Growth rate and critical temperatures to avoid the modulation of composition of InGaAs epitaxial layers

  1. González, D.
  2. Aragón, G.
  3. Araújo, D.
  4. De Castro, M.J.
  5. García, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1999

Volumen: 74

Número: 18

Páginas: 2649-2651

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.123926 GOOGLE SCHOLAR
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